晶湛半导体由业界公认的硅基氮化镓（GaN-on-Si）外延技术的开拓者程凯博士于2012年回国创办，坐落于苏州市工业园区，拥有国际先进的氮化镓外延材料研发和产业化基地，致力于为电力电子以及微显示等领域提供高品质氮化镓外延材料解决方案，也是目前国际上可供应300mm硅基氮化镓外延产品的厂商，技术实力处于国际地位。

2014年底，晶湛半导体就率先在全球首次发布商用8英寸硅基氮化镓外延片产品，经有关下游客户验证，该材料具备技术指标和卓越的性能，填补了国内氮化镓产业的空白。2021年9月，晶湛半导体又成功全球12英寸硅基电力电子氮化镓外延片，赢得了业内广泛关注。经过多年的专注发展，晶湛半导体已经成为国内GaN材料研发和产业化的领军企业，通过与全球数百家知名半导体科技企业、高校科研院所客户建立广泛深入的合作，多次在行业期刊NatureElectronics，IEEEElectronDeviceLetters，及国际会议IEDM等发布相关创新成果，引起国际半导体界的广泛关注和一致好评。

晶湛半导体高度重视自主研发和核心知识产权工作，在氮化镓外延领域已掌握多项核心技术，拥有独立的自主知识产权，晶湛半导体目前已在国内外累计申请超500项专利，其中已获得超140项专利授权。