著录信息
- 专利名称：一种薄晶体硅电池
- 专利类型：实用新型
- 申请号：CN201621043041.X
- 公开(公告)号：CN206236682U
- 申请日：20160906
- 公开(公告)日：20170609
- 申请人：浙江晶科能源有限公司,晶科能源有限公司
- 发明人：张范,金井升,蒋方丹,金浩,郑霈霆
- 申请人地址：314416 浙江省嘉兴市海宁市袁花镇袁溪路58号
- 申请人区域代码：CN330481
- 专利权人：浙江晶科能源有限公司,晶科能源有限公司
- 洛迦诺分类：无
- IPC：H01L31/0236,H01L31/0224
- 优先权：无
- 专利代理机构：北京集佳知识产权代理有限公司 11227
- 代理人：罗满
- 审查员：无
- 国际申请：无
- 国际公开(公告)：无
- 进入国家日期：无
- 分案申请：无
关键词
点状,背面,丝网印刷,电极,背面钝化层,本实用新型,晶体硅电池,从上到下,电池效率,激光开槽,局域扩散,开路电压,依次设置,重掺杂区,背电极,掺杂的,磷掺杂,短路,硅片,损伤
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