著录信息
- 专利名称：避免或降低晶体硅光伏组件电位诱发衰减的方法和结构
- 专利类型：发明
- 申请号：CN201310041876.6
- 公开(公告)号：CN103137730B
- 申请日：20130201
- 公开(公告)日：20150520
- 申请人：常州亿晶光电科技有限公司
- 发明人：魏慎金,陈小梅
- 申请人地址：213213 江苏省常州市金坛市尧塘镇金武路18号
- 申请人区域代码：CN320482
- 专利权人：常州亿晶光电科技有限公司
- 洛迦诺分类：无
- IPC：H01L31/042,H01L31/048,H01L31/18
- 优先权：无
- 专利代理机构：无
- 代理人：无
- 审查员：薛源
- 国际申请：无
- 国际公开(公告)：无
- 进入国家日期：无
- 分案申请：无
关键词
光伏系统,光伏组件,汇流箱,负极,逆变器,晶体硅,输出端,输入端,电位,正极,衰减,连接,诱发,开关控制器,短接,光伏,无电,开路,电站
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