著录信息
- 专利名称：一种用于刻蚀二氧化硅掩膜的浆料的清洗工艺
- 专利类型：发明
- 申请号：CN200810207489.4
- 公开(公告)号：CN101447530B
- 申请日：20081222
- 公开(公告)日：20100609
- 申请人：上海晶澳太阳能光伏科技有限公司
- 发明人：李静,朴松源,郭育林,王鹏
- 申请人地址：200436 上海市闸北区江场三路36号
- 申请人区域代码：CN310108
- 专利权人：上海晶澳太阳能光伏科技有限公司
- 洛迦诺分类：无
- IPC：H01L31/18,H01L21/00,H01L21/02
- 优先权：无
- 专利代理机构：广州知友专利商标代理有限公司 44104
- 代理人：李海波
- 审查员：罗慧晶
- 国际申请：无
- 国际公开(公告)：无
- 进入国家日期：无
- 分案申请：无
关键词
刻蚀二氧化硅,清洗工艺,浆料,喷淋,掩膜,选择性发射极,浸渍,超声波清洗,性能的影响,硅片表面,太阳电池,循环纯水,电池片
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