著录信息
- 专利名称：功率半导体模块
- 专利类型：实用新型
- 申请号：CN201520362748.6
- 公开(公告)号：CN204857730U
- 申请日：20150529
- 公开(公告)日：20151209
- 申请人：富士电机(中国)有限公司
- 发明人：李俊
- 申请人地址：200063 上海市普陀区中山北路3000号长城大厦27楼
- 申请人区域代码：CN310107
- 专利权人：富士电机(中国)有限公司
- 洛迦诺分类：无
- IPC：H01L29/739,H01L23/552
- 优先权：无
- 专利代理机构：上海专利商标事务所有限公司 31100
- 代理人：俞丹
- 审查员：无
- 国际申请：无
- 国际公开(公告)：无
- 进入国家日期：无
- 分案申请：无
关键词
半导体元件,盖板,连接线,铜箔层,基板,功率半导体模块,收纳,穿过通孔,电连接。,封闭空间,降低辐射,接地,覆盖,壳体,通孔,一种,噪声,设有,实用,构成
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