著录信息
- 专利名称：一种静电屏蔽效应晶体管及其设计方法
- 专利类型：发明
- 申请号：CN201410230525.4
- 公开(公告)号：CN104009087B
- 申请日：20140529
- 公开(公告)日：20170215
- 申请人：深圳市盛元半导体有限公司
- 发明人：张雷
- 申请人地址：518000 广东省深圳市宝安区福永凤凰第三工业区创业园E幢
- 申请人区域代码：CN440306
- 专利权人：深圳市盛元半导体有限公司
- 洛迦诺分类：无
- IPC：H01L29/78,H01L23/60,H01L29/06,H01L21/265
- 优先权：无
- 专利代理机构：北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙) 11350
- 代理人：汤东凤
- 审查员：黄宝莹
- 国际申请：无
- 国际公开(公告)：无
- 进入国家日期：无
- 分案申请：无
关键词
基区,发射极,氧化层,导电材料层,多晶硅层,静电屏蔽效应,槽型栅极,超浅结,集电极,晶体管,离子,空穴,发射极电流,高频特性,高温扩散,器件结构,发射区,引出端,衬底,淀积,挤流,抽取
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