著录信息
- 专利名称：一种ZP3KD软磁铁氧体材料及其生产方法
- 专利类型：发明
- 申请号：CN201310259886.7
- 公开(公告)号：CN103351159B
- 申请日：20130626
- 公开(公告)日：20160203
- 申请人：天长市中德电子有限公司
- 发明人：李前军,沈建元,王晓祥,陆明兵,徐升宝,王步猛,陈维兆,蒲成刚,张恩明,王久如,屠德义
- 申请人地址：239300 安徽省滁州市天长市天治路98号
- 申请人区域代码：CN341181
- 专利权人：天长市中德电子有限公司
- 洛迦诺分类：无
- IPC：C04B35/26,C04B35/622
- 优先权：无
- 专利代理机构：合肥市长远专利代理事务所(普通合伙) 34119
- 代理人：刘勇
- 审查员：李阳
- 国际申请：无
- 国际公开(公告)：无
- 进入国家日期：无
- 分案申请：无
关键词
软磁铁氧体材料,初始导磁率,材料配方,磁芯损耗,顾客要求,氧化钒,氧化钙,氧化硅,氧化锰,氧化铁,氧化锌,氧化钴,氧化铌,一种,组成,满足,公开
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