著录信息
- 专利名称：半导体测试结构、其测试方法及其制造方法
- 专利类型：发明
- 申请号：CN201210526395.X
- 公开(公告)号：CN103872016B
- 申请日：20121207
- 公开(公告)日：20160907
- 申请人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
- 发明人：许晓锋,宋永梁
- 申请人地址：201203 上海市浦东新区张江路18号
- 申请人区域代码：CN310115
- 专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
- 洛迦诺分类：无
- IPC：H01L23/544,H01L21/768,G01R31/26
- 优先权：无
- 专利代理机构：上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237
- 代理人：屈蘅;李时云
- 审查员：刘玮德
- 国际申请：无
- 国际公开(公告)：无
- 进入国家日期：无
- 分案申请：无
关键词
测试,栅结构,半导体测试结构,第二类型阱,测试阶段,电容结构,栅介质层,掺杂区,衬底,封装,半导体,测试成本,测试效率,衬底电流,隔离结构,栅导电层,振荡电流,漏区,节约,制造
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