著录信息
- 专利名称：互连结构的制作方法
- 专利类型：发明
- 申请号：CN201010508949.4
- 公开(公告)号：CN102446813B
- 申请日：20101013
- 公开(公告)日：20130911
- 申请人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
- 发明人：陈碧钦,何伟业,聂佳相,孔祥涛
- 申请人地址：201203 上海市浦东新区张江路18号
- 申请人区域代码：CN310115
- 专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
- 洛迦诺分类：无
- IPC：H01L21/768
- 优先权：无
- 专利代理机构：北京集佳知识产权代理有限公司 11227
- 代理人：骆苏华
- 审查员：潘元真
- 国际申请：无
- 国际公开(公告)：无
- 进入国家日期：无
- 分案申请：无
关键词
低K介质,掩膜,互连结构,退火,半导体衬底,时间常数,衬底,电阻
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