著录信息
- 专利名称：TFT背板结构及其制作方法
- 专利类型：发明
- 申请号：CN201410445155.6
- 公开(公告)号：CN104183608B
- 申请日：20140902
- 公开(公告)日：20170503
- 申请人：深圳市华星光电技术有限公司
- 发明人：吕晓文,曾志远,苏智昱,张合静
- 申请人地址：518132 广东省深圳市光明新区塘明大道9—2号
- 申请人区域代码：CN440306
- 专利权人：深圳市华星光电技术有限公司
- 洛迦诺分类：无
- IPC：H01L27/12,H01L21/77,H01L29/786
- 优先权：无
- 专利代理机构：深圳市德力知识产权代理事务所 44265
- 代理人：林才桂
- 审查员：李利哲
- 国际申请：无
- 国际公开(公告)：无
- 进入国家日期：无
- 分案申请：无
关键词
开关TFT,驱动,氧化物半导体层,蚀刻阻挡层,亚阈值摆幅,栅极绝缘层,背板结构,漏极,快速充放电,控制电流,电特性,灰阶,制作
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