著录信息
- 专利名称：一种双向稳压二极管DB3芯片的生产工艺
- 专利类型：发明
- 申请号：CN201010581241.1
- 公开(公告)号：CN102082093B
- 申请日：20101210
- 公开(公告)日：20140305
- 申请人：天津中环半导体股份有限公司
- 发明人：刘长蔚,王军明,初亚东,宋进虎,徐长坡,崔俊发,范玉丰,邢立勋
- 申请人地址：300384 天津市南开区新技术产业园区华苑产业区海泰东路12号
- 申请人区域代码：CN120104
- 专利权人：天津中环半导体股份有限公司
- 洛迦诺分类：无
- IPC：H01L21/329,H01L29/861,G03F7/00,H01L21/311
- 优先权：无
- 专利代理机构：天津中环专利商标代理有限公司 12105
- 代理人：莫琪
- 审查员：车晓璐
- 国际申请：无
- 国际公开(公告)：无
- 进入国家日期：无
- 分案申请：无
关键词
双向稳压二极管,二极管,触发,生产工艺,芯片,工艺玻璃,击穿电压,台面沟槽,电泳,碎片率,耗电,次光,钝化,回弹,电压,对称,合格率,腐蚀
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