著录信息
- 专利名称：一种背接触硅太阳能电池的制备方法
- 专利类型：发明
- 申请号：CN201210108282.8
- 公开(公告)号：CN102629641B
- 申请日：20120413
- 公开(公告)日：20140806
- 申请人：苏州阿特斯阳光电力科技有限公司,阿特斯（中国）投资有限公司
- 发明人：张凤,王栩生,章灵军
- 申请人地址：215129 江苏省苏州市苏州高新区鹿山路199号
- 申请人区域代码：CN320505
- 专利权人：苏州阿特斯阳光电力科技有限公司,阿特斯（中国）投资有限公司
- 洛迦诺分类：无
- IPC：H01L31/18
- 优先权：无
- 专利代理机构：苏州创元专利商标事务所有限公司 32103
- 代理人：陶海锋;陆金星
- 审查员：徐健
- 国际申请：无
- 国际公开(公告)：无
- 进入国家日期：无
- 分案申请：无
关键词
金属电极,硅片,硅太阳能电池,光面,制备方法,接触,保护膜,电镀,受光,背光,电场,减反射膜,丝网印刷,杂质玻璃,烧结,成品率,生长,开孔,孔内,生产成本,背面,电池,扩散,印刷,开发
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