著录信息
- 专利名称：一种GaN基发光二极管芯片的制备方法
- 专利类型：发明
- 申请号：CN201410594339.9
- 公开(公告)号：CN104300048B
- 申请日：20141029
- 公开(公告)日：20170215
- 申请人：山东浪潮华光光电子股份有限公司
- 发明人：刘岩,马玉玲,彭璐,徐现刚
- 申请人地址：261061 山东省潍坊市高新区金马路9号
- 申请人区域代码：CN370705
- 专利权人：山东浪潮华光光电子股份有限公司
- 洛迦诺分类：无
- IPC：H01L33/02
- 优先权：无
- 专利代理机构：济南日新专利代理事务所 37224
- 代理人：王书刚
- 审查员：刘天飞
- 国际申请：无
- 国际公开(公告)：无
- 进入国家日期：无
- 分案申请：无
关键词
光刻胶,去除,制备,干法刻蚀,芯片表面,刻蚀,残留,等离子体去除,生产周期,表面残留,表面生长,刻蚀气体,工艺流程,钝化层,面结构,芯片,制作,保证
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