著录信息
- 专利名称：半导体激光器用新型氮化铝陶瓷载体倾斜端面制作方法
- 专利类型：发明
- 申请号：CN200910075479.4
- 公开(公告)号：CN101667713B
- 申请日：20090923
- 公开(公告)日：20110720
- 申请人：中国电子科技集团公司第十三研究所
- 发明人：常慧增,张世祖
- 申请人地址：050035 河北省石家庄市新华区合作路113号
- 申请人区域代码：CN130105
- 专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
- 洛迦诺分类：无
- IPC：H01S5/024,H01S5/022
- 优先权：无
- 专利代理机构：石家庄国为知识产权事务所 13120
- 代理人：李荣文
- 审查员：高洁
- 国际申请：无
- 国际公开(公告)：无
- 进入国家日期：无
- 分案申请：无
关键词
氮化铝陶瓷,倾斜端面,半导体激光器,高密度封装,规定深度,技术制作,加工效率,接口实现,微型载体,信息传输,电极,电驱动,插拔,底面,金刚,小于,互联
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