著录信息
- 专利名称：沟槽式快恢复二极管
- 专利类型：实用新型
- 申请号：CN201420806984.8
- 公开(公告)号：CN204303819U
- 申请日：20141218
- 公开(公告)日：20150429
- 申请人：江苏宏微科技股份有限公司
- 发明人：林茂,戚丽娜,张景超,钱锴,刘利峰,赵善麒,王晓宝
- 申请人地址：213022 江苏省常州市新北区华山中路18号
- 申请人区域代码：CN320411
- 专利权人：江苏宏微科技股份有限公司
- 洛迦诺分类：无
- IPC：H01L29/861,H01L29/06
- 优先权：无
- 专利代理机构：常州市维益专利事务所 32211
- 代理人：贾海芬
- 审查员：无
- 国际申请：无
- 国际公开(公告)：无
- 进入国家日期：无
- 分案申请：无
关键词
氧化层,终端,沟槽多晶硅,场氧化层,杂质电荷,多晶硅,场板,有源,底部,恢复二极管,恢复时间,恢复特性,金属阳极,积累,空腔,内凹,上部,正向,工业化,超出,连接
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