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著录信息

  • 专利名称:浸润液、晶圆腐蚀前的浸润方法和二氧化硅湿法腐蚀方法
  • 专利类型:发明
  • 申请号:CN201110379979.4
  • 公开(公告)号:CN103131421B
  • 申请日:20111125
  • 公开(公告)日:20150225
  • 申请人:无锡华润华晶微电子有限公司
  • 发明人:朱国伟,宋矿宝
  • 申请人地址:214028 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区信息产业科技园C座2楼
  • 申请人区域代码:CN320211
  • 专利权人:无锡华润华晶微电子有限公司
  • 洛迦诺分类:
  • IPC:C09K13/00,H01L21/306
  • 优先权:
  • 专利代理机构:中国专利代理(香港)有限公司 72001
  • 代理人:徐小会;高为
  • 审查员:史巍
  • 国际申请:
  • 国际公开(公告):
  • 进入国家日期:
  • 分案申请:

关键词

湿法腐蚀,光刻胶,晶圆,产品晶圆,二氧化硅,去离子水,原液,腐蚀
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