著录信息
- 专利名称：低功耗的双向瞬态电压抑制器件
- 专利类型：发明
- 申请号：CN201410157937.X
- 公开(公告)号：CN103972231B
- 申请日：20140418
- 公开(公告)日：20161130
- 申请人：苏州固锝电子股份有限公司
- 发明人：管国栋,孙玉华
- 申请人地址：215153 江苏省苏州市新区通安经济开发区通锡路31号
- 申请人区域代码：CN320505
- 专利权人：苏州固锝电子股份有限公司
- 洛迦诺分类：无
- IPC：H01L27/02,H01L29/06
- 优先权：无
- 专利代理机构：苏州创元专利商标事务所有限公司 32103
- 代理人：马明渡;王健
- 审查员：叶常茂
- 国际申请：无
- 国际公开(公告)：无
- 进入国家日期：无
- 分案申请：无
关键词
重掺杂P型区,重掺杂,轻掺杂,四周区域,漏电流,双向瞬态电压抑制器件,瞬态电压抑制,电路稳定性,反向漏电流,沟槽接触,局部温升,隧道击穿,低功耗,上表面,外侧面,下表面,功耗
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