著录信息
- 专利名称：穿通型碳化硅绝缘栅双极型晶体管的制备方法
- 专利类型：发明
- 申请号：CN201410163736.0
- 公开(公告)号：CN103928322B
- 申请日：20140421
- 公开(公告)日：20160817
- 申请人：西安电子科技大学
- 发明人：郭辉,翟华星,宋庆文,张艺蒙,张玉明,汤晓燕
- 申请人地址：710071 陕西省西安市太白南路2号
- 申请人区域代码：CN610113
- 专利权人：西安电子科技大学
- 洛迦诺分类：无
- IPC：H01L21/331,H01L21/265
- 优先权：无
- 专利代理机构：陕西电子工业专利中心 61205
- 代理人：王品华;朱红星
- 审查员：周天微
- 国际申请：无
- 国际公开(公告)：无
- 进入国家日期：无
- 分案申请：无
关键词
衬底正面,绝缘栅双极型晶体管,衬底背面,碳化硅,制备,离子,刻蚀栅氧化层,淀积金属,多晶硅栅,高温退火,工艺步骤,集电极区,结构性能,开关电源,抛光氧化,体接触区,外延生长,引出电极,照明电路,发射区,缓冲层,耐压层,逆变器,切割面,衬底,穿通,淀积,光刻,减薄,可用,切割,背面,激活,生长
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