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著录信息

  • 专利名称:芯片上电复位电路
  • 专利类型:发明
  • 申请号:CN201110030641.8
  • 公开(公告)号:CN102111136B
  • 申请日:20110128
  • 公开(公告)日:20130515
  • 申请人:钜泉光电科技(上海)股份有限公司
  • 发明人:王永寿,萧经华,郎君,佘龙,胡建国
  • 申请人地址:201203 上海市张江高新科技园区牛顿路200号8号楼601室
  • 申请人区域代码:CN310115
  • 专利权人:钜泉光电科技(上海)股份有限公司
  • 洛迦诺分类:
  • IPC:H03K17/22,H03K17/28
  • 优先权:
  • 专利代理机构:上海明成云知识产权代理有限公司 31232
  • 代理人:成春荣;竺云
  • 审查员:杨莹莹
  • 国际申请:
  • 国际公开(公告):
  • 进入国家日期:
  • 分案申请:

关键词

上电复位,充电模块,电荷,波形整形模块,充电电流,电源电压,响应模块,芯片,充放电,电路,电路及其方法,充放电电路,充电电压,全程监控,输出信号,锁定控制,自身功耗,整形,集成电路,放大,转换
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