著录信息
- 专利名称：一种金属氧化物TFT器件及制造方法
- 专利类型：发明
- 申请号：CN201280001860.6
- 公开(公告)号：CN104040693B
- 申请日：20121204
- 公开(公告)日：20171212
- 申请人：深圳市柔宇科技有限公司
- 发明人：魏鹏,余晓军,刘自鸿
- 申请人地址：518057 广东省深圳市南山区高新南环路29号留学生创业大厦2005室
- 申请人区域代码：CN440305
- 专利权人：深圳市柔宇科技有限公司
- 洛迦诺分类：无
- IPC：H01L21/28,H01L29/786,G02F1/1362
- 优先权：无
- 专利代理机构：深圳中一专利商标事务所 44237
- 代理人：张全文
- 审查员：李海龙
- 国际申请：PCT/CN2012/085792 20121204
- 国际公开(公告)：WO2014/085971 20140612
- 进入国家日期：20121228
- 分案申请：无
关键词
光刻胶,半导体层,对准,刻蚀阻挡层,源漏极,沟道,基板,掩膜,绝缘层,剥离,金属氧化物TFT,半导体沟道,沉积钝化层,沉积电极,电子器件,基板背部,寄生电容,刻蚀电极,器件性能,依次设置,曝光,电极层,掩膜板,自对准,覆盖,制备,制造,隔离,保留,制作
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