著录信息
- 专利名称：金属氧化物半导体场效应晶体管及其键合方法
- 专利类型：发明
- 申请号：CN200810217046.3
- 公开(公告)号：CN101388352B
- 申请日：20081022
- 公开(公告)日：20120509
- 申请人：深圳市晶导电子有限公司
- 发明人：赖辉朋,谭楠,廖志强
- 申请人地址：518101 广东省深圳市宝安区新安街道留仙二路鸿辉工业园3号厂房1-4层
- 申请人区域代码：CN440306
- 专利权人：深圳市晶导电子有限公司
- 洛迦诺分类：无
- IPC：H01L21/607,H01L23/488,B23K20/10,B23K101/40
- 优先权：无
- 专利代理机构：广州华进联合专利商标代理有限公司 44224
- 代理人：曾旻辉
- 审查员：白燕
- 国际申请：无
- 国际公开(公告)：无
- 进入国家日期：无
- 分案申请：无
关键词
金属氧化物半导体场效应晶体管,铜丝,键合,焊球,焊接,铜线,芯片,超声,焊点,熔化,导电性能,预热处理,自动设备,金丝,铝丝,球焊,禁区,接触
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