著录信息
- 专利名称：低输入电容功率半导体场效应晶体管
- 专利类型：实用新型
- 申请号：CN201420656956.2
- 公开(公告)号：CN204375754U
- 申请日：20141103
- 公开(公告)日：20150603
- 申请人：吉林华微电子股份有限公司
- 发明人：左义忠,高宏伟,张海宇,贾国
- 申请人地址：132013 吉林省吉林市深圳街99号
- 申请人区域代码：CN220211
- 专利权人：吉林华微电子股份有限公司
- 洛迦诺分类：无
- IPC：H01L29/40,H01L29/78,H01L21/336
- 优先权：无
- 专利代理机构：长春菁华专利商标代理事务所 22210
- 代理人：陶尊新
- 审查员：无
- 国际申请：无
- 国际公开(公告)：无
- 进入国家日期：无
- 分案申请：无
关键词
多晶硅,场板,多晶硅栅,电容,场效应晶体管,多晶硅栅极,功率半导体,两侧,绝缘层,半导体器件技术,半导体场效应,沟道长度,米勒电容,栅氧化层,有源,小于,金属,芯片,大于
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