著录信息
- 专利名称：采用PSG掺杂技术的VDMOS、IGBT功率器件及其制造工艺
- 专利类型：发明
- 申请号：CN200710037559.1
- 公开(公告)号：CN100477270C
- 申请日：20070214
- 公开(公告)日：20090408
- 申请人：上海富华微电子有限公司,吉林华微电子股份有限公司
- 发明人：邵光平
- 申请人地址：200122上海市浦东新区东方路971号钱江大厦14楼H座
- 申请人区域代码：CN310115
- 专利权人：上海富华微电子有限公司,吉林华微电子股份有限公司
- 洛迦诺分类：无
- IPC：H01L29/78,H01L29/739,H01L21/336,H01L21/331
- 优先权：无
- 专利代理机构：上海京沪专利代理事务所
- 代理人：沈美英
- 审查员：季茂源
- 国际申请：无
- 国际公开(公告)：无
- 进入国家日期：无
- 分案申请：无
关键词
磷硅玻璃,隔离层,掺杂,微电子技术领域,多晶硅栅层,工作可靠性,金属表层,金属底层,热氧化,外延层,单层,光刻,氧层,生产成本,扩散
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