著录信息
- 专利名称：一种MOSFET器件
- 专利类型：实用新型
- 申请号：CN201620786862.6
- 公开(公告)号：CN205944098U
- 申请日：20160725
- 公开(公告)日：20170208
- 申请人：吉林华微电子股份有限公司
- 发明人：左义忠,杨寿国,张海宇,曲亮,贾国
- 申请人地址：132013 吉林省吉林市高新区深圳街99号
- 申请人区域代码：CN220211
- 专利权人：吉林华微电子股份有限公司
- 洛迦诺分类：无
- IPC：H01L29/40,H01L29/423,H01L29/78,H01L21/336
- 优先权：无
- 专利代理机构：北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371
- 代理人：毕强
- 审查员：无
- 国际申请：无
- 国际公开(公告)：无
- 进入国家日期：无
- 分案申请：无
关键词
源极金属,栅电极区,栅沟槽,沟道,肖特基结,半导体器件技术,本实用新型,电场,电场屏蔽,沟道电子,沟道电阻,肖特基源,依次设置,迁移率,势垒区,肖特基,承载
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