著录信息
- 专利名称：采用双锰铜设计抗外界磁场干扰的电路
- 专利类型：实用新型
- 申请号：CN201220498266.X
- 公开(公告)号：CN202854203U
- 申请日：20120927
- 公开(公告)日：20130403
- 申请人：杭州炬华科技股份有限公司
- 发明人：姜干才,刘峥嵘,江少辉
- 申请人地址：310030 浙江省杭州市西湖科技经济园西园八路2号3幢
- 申请人区域代码：CN330106
- 专利权人：杭州炬华科技股份有限公司
- 洛迦诺分类：无
- IPC：G01R15/00,G01R15/14
- 优先权：无
- 专利代理机构：杭州赛科专利代理事务所 33230
- 代理人：曹绍文
- 审查员：无
- 国际申请：无
- 国际公开(公告)：无
- 进入国家日期：无
- 分案申请：无
关键词
锰铜片,采样线,绝缘隔离,空间磁场,锰铜,抗干扰电路,磁场干扰,反向信号,干扰信号,外界磁场,形状结构,连接,叠合,阻抗,电路,干扰
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