著录信息
- 专利名称：一种基于临时释放保护层的红外探测器制作方法
- 专利类型：发明
- 申请号：CN201110066271.3
- 公开(公告)号：CN102683475B
- 申请日：20110318
- 公开(公告)日：20150527
- 申请人：浙江大立科技股份有限公司
- 发明人：姜利军,池积光,钱良山,王景道,黄河
- 申请人地址：310053 浙江省杭州市杭州国家高新技术产业开发区滨康路639号(高新区)
- 申请人区域代码：CN330108
- 专利权人：浙江大立科技股份有限公司
- 洛迦诺分类：无
- IPC：H01L31/18
- 优先权：无
- 专利代理机构：浙江杭州金通专利事务所有限公司 33100
- 代理人：赵芳;徐关寿
- 审查员：张跃
- 国际申请：无
- 国际公开(公告)：无
- 进入国家日期：无
- 分案申请：无
关键词
保护层,牺牲层,红外探测器,敏感层,图形化,晶硅,微电子机械系统,等离子体,电极层图形,工艺难度,金属电极,聚酰亚胺,微桥结构,硅衬底,金属层,微加工,探测器,微桥,制冷
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