著录信息
- 专利名称：单晶硅位错腐蚀剂及检测方法
- 专利类型：发明
- 申请号：CN201310576502.4
- 公开(公告)号：CN103590113B
- 申请日：20131118
- 公开(公告)日：20160817
- 申请人：银川隆基硅材料有限公司,西安隆基硅材料股份有限公司,宁夏隆基硅材料有限公司,无锡隆基硅材料有限公司
- 发明人：王新强,邓浩,马自成
- 申请人地址：750021 宁夏回族自治区银川市（国家级）经济技术开发区开元东路15号
- 申请人区域代码：CN640105
- 专利权人：银川隆基硅材料有限公司,西安隆基硅材料股份有限公司,宁夏隆基硅材料有限公司,无锡隆基硅材料有限公司
- 洛迦诺分类：无
- IPC：C30B33/10,C23F1/24,G01N21/00
- 优先权：无
- 专利代理机构：西安弘理专利事务所 61214
- 代理人：罗笛
- 审查员：史博颖
- 国际申请：无
- 国际公开(公告)：无
- 进入国家日期：无
- 分案申请：无
关键词
单晶硅,位错,腐蚀剂,缓释剂,检测,腐蚀,刺激性气味,环境友好,硼酸溶液,浸入,硝酸,氢氟酸
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