向Tb/s级跨越！我国首款1.6Tb/s硅光互连芯片完成研制

摘要：据媒体报道，国家信息光电子创新中心（NOEIC）等单位率先完成了1.6Tb/s硅基光收芯片的联合研制和功能验证，实现了我国硅光芯片技术向Tb/s级的首次跨越，使得我国的硅光技术上实现了对于国外的追赶。

2021年12月27日消息，据媒体报道，国家信息光电子创新中心、鹏城实验室、中国信息通信科技集团光纤通信技术和网络国家重点实验室、武汉光迅科技股份有限公司，在国内率先完成了1.6Tb/s硅基光收芯片的联合研制和功能验证。

国内首款1.6Tb/s硅光互连芯片完成研制，实现了我国硅光芯片技术向Tb/s级的首次跨越，同时也使得我国的硅光技术上实现了对于国外的追赶。

据悉，研究人员分别在单颗硅基光发射芯片和硅基光接收芯片上集成了8个通道高速电光调制器和高速光电探测器，每个通道可实现200Gb/s PAM4高速信号的光电和电光转换，最终经过芯片封装和系统传输测试，完成了单片容量高达8×200Gb/s光互连技术验证。

上述工作刷新了国内此前单片光互连速率和互连密度的最好水平，展现出硅光技术的超高速、超高密度、高可扩展性等突出优势，为下一代数据中心内的宽带互连提供了可靠的光芯片解决方案。

公开资料显示，国家信息光电子创新中心（NOEIC）成立于2017年10月31日，落户于武汉中国光谷，是国内最具产业化实力的InP、GaAs以及硅光等光通信光电芯片的设计和工艺平台。

据了解，NOEIC一直致力于推动高端光电子芯片的技术演进、国内首产和产业转化，并在超高速光收发芯片技术上获得持续突破，相继研制出一系列新型的超100Gbaud硅光调制器和探测器成果，向Tb/s光模块作出了充分的技术储备。

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