2021年12月27日消息,据媒体报道,国家信息光电子创新中心、鹏城实验室、中国信息通信科技集团光纤通信技术和网络国家重点实验室、武汉光迅科技股份有限公司,在国内率先完成了1.6Tb/s硅基光收芯片的联合研制和功能验证。
国内首款1.6Tb/s硅光互连芯片完成研制,实现了我国硅光芯片技术向Tb/s级的首次跨越,同时也使得我国的硅光技术上实现了对于国外的追赶。
据悉,研究人员分别在单颗硅基光发射芯片和硅基光接收芯片上集成了8个通道高速电光调制器和高速光电探测器,每个通道可实现200Gb/s PAM4高速信号的光电和电光转换,最终经过芯片封装和系统传输测试,完成了单片容量高达8×200Gb/s光互连技术验证。
上述工作刷新了国内此前单片光互连速率和互连密度的最好水平,展现出硅光技术的超高速、超高密度、高可扩展性等突出优势,为下一代数据中心内的宽带互连提供了可靠的光芯片解决方案。
公开资料显示,国家信息光电子创新中心(NOEIC)成立于2017年10月31日,落户于武汉中国光谷,是国内最具产业化实力的InP、GaAs以及硅光等光通信光电芯片的设计和工艺平台。
据了解,NOEIC一直致力于推动高端光电子芯片的技术演进、国内首产和产业转化,并在超高速光收发芯片技术上获得持续突破,相继研制出一系列新型的超100Gbaud硅光调制器和探测器成果,向Tb/s光模块作出了充分的技术储备。