一、常见金属靶材的种类
常规金属靶材：镁Mg、锰Mn、铁Fe、钴CO、镍Ni、铜Cu、锌Zn、铅Pd、锡Sn、铝AL。
小金属靶材：铟In、锗Ge、镓Ga、锑Sb、铋Bi、镉Cd。
难熔金属靶材：钛Ti、锆Zr、铪Hf、钒V铌Nb、钽Ta、铭Cr、钼Mo、钨W、铼Re。
贵金属靶材：金Au、银Ag、钯Pd、铂Pt、铱lr、钌Ru、铑Rh、锇Os。
半金属靶材：碳C、硼B、碲Te、硒Se。
二、金属靶材是干什么的
金属靶材应用主要包括平板显示器、半导体、太阳能电池、记录媒体等领域。其中平板显示器占33.80%，半导体占11.40%，太阳能电池占18.50%，记录媒体占28.60%。
半导体芯片用金属溅射靶材的作用，就是给芯片上制作传递信息的金属导线。具体的溅射过程：首先利用高速离子流，在高真空条件下分别去轰击不同种类的金属溅射靶材的表面，使各种靶材表面的原子一层一层地沉积在半导体芯片的表面上，然后再通过的特殊加工工艺，将沉积在芯片表面的金属薄膜刻蚀成纳米级别的金属线，将芯片内部数以亿计的微型晶体管相互连接起来，从而起到传递信号的作用。
行业用的金属溅射靶材，主要种类包括：铜、钽、铝、钛、钴和钨等高纯溅射靶材，以及镍铂、钨钛等合金类的金属溅射靶材。铜靶和钽靶通常配合起来使用。目前晶圆的制造正朝着更小的制程方向发展，铜导线工艺的应用量在逐步增大，因此，铜和钽靶材的需求将有望持续增长。铝靶和钛靶通常配合起来使用。目前，在汽车电子芯片等需要110nm以上技术节点来保证其稳定性和抗干扰性的领域，仍需大量使用铝、钛靶材。
应用于超大规模集成电路芯片、液晶面板、薄膜太阳能电池制造的物理气相沉积（PVD）工艺，用于制备电子薄膜材料，包括铝靶、钛靶、钽靶、钨钛靶等金属靶材。
