单晶硅片尺寸是多少 单晶硅片的厚度是多少

一、单晶硅片尺寸是多少

单晶硅圆片按其直径分为6英寸、8英寸、12英寸（300毫米）及18英寸（450毫米）等。直径越大的圆片，所能刻制的集成电路越多，芯片的成本也就越低。但大尺寸晶片对材料和技术的要求也越高。

大尺寸的优势：

1、硅片-电池片-组件端，降低单瓦非硅成本。

2、组件-电站端，降低BOS成本。硅片尺寸增大，增加了从硅片、电池、组件到电站等各环节的产能输出，相当于摊销了部分人工、折旧、水电气、施工等成本投入。

二、单晶硅片的厚度是多少

随着产业链合作推进，薄片化进程加速。硅片厚度对电池片的自动化、良率、转换效率等均有影响，需要与下游电池片、组件制造端需求匹配，因此薄片化更为依赖产业链各环节的合作推进。

2020年多晶硅片平均厚度为180μm，P型单晶硅片平均厚度在175μm左右，N型硅片平均厚度为168μm，TOPCon电池的N型硅片平均厚度为175μm，异质结电池的硅片厚度约150μm。

1、P型单晶硅片：薄片化经历了350μm、250μm、220μm、200μm、180μm等多个节点，预计2021年达到170μm，150-160μm的薄片技术目前已经趋于成熟，2025年有望达到160μm。

2、N型单晶硅片：N型硅片相比P型更容易实现减薄，预计2021年达到160-165μm，目前已经具备120-140μm的薄片技术，远期有望达到100-120μm。

3、异质结电池N型单晶硅片：HJT是最有利于薄片化的电池结构和工艺，在薄片化方面具备天然优势，原因是：

（1）对称结构、低温或无应力制程可以适应更薄的硅片。

（2）转换效率不受厚度影响，即使减薄到100μm左右，依赖超低表面复合，短路电流Isc的损失可以通过开路电压Voc得到补偿。

根据相关预测，2024、2027、2030年异质结N型硅片厚度将分别达到140、130、120μm，薄片化的理论极限可以达到100μm以下。