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ITO溅射靶材的制作方法 ITO溅射靶材生产难点

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摘要:ITO靶材是一种贵金属材料,是在高温气氛烧结形成的黑灰色陶瓷半导体。ITO靶材主要有四种成型方法,分别是真空热压法、热等静压法、常压烧结法、冷等静压法。下面就来了解下ITO溅射靶材的制作方法以及ITO溅射靶材生产难点。

一、ITO溅射靶材的制作方法

1、真空热压

真空热压利用热能和机械能对ITO粉体进行致密化,可生产出密度为91%~96%的高密度ITO陶瓷靶材。该方法可以轻松获得接近预期密度且孔隙率接近于零的ITO靶材。但受设备和模具尺寸的限制,真空热压在制备大尺寸溅射靶材方面优势较小。

2、热等静压

热等静压(HIP)通过在压力下烧结或在高温下加压来制备ITO溅射靶。与真空热压类似,HIP在加热和加压状态下可以获得高密度(几乎是理论密度)和优异的物理和机械性能的产品。但也受设备压力和气缸尺寸的限制。

3、常温烧结

室温烧结是先通过浆料浇注或预压制备高密度靶材预制件,然后在一定气氛和温度下烧结得到ITO靶材。其最大的优势在于能够生产大尺寸的溅射靶材。但与其他烧结方法相比,这种方法制成的靶材纯度较低。

4、冷等静压

冷等静压(CIP)在常温下以橡胶或塑料为覆膜材料,以液体为压力介质传递超高压。CIP还可以制备更大尺寸的ITO溅射靶材。而且价格便宜,适合大批量生产。但CIP要求材料在0.1~0.9MPa的纯氧环境中经过1500~1600°C的高温烧结,具有较高的风险。

二、ITO溅射靶材生产难点

1、粉末制备

粉末冶金最核心的竞争力就是粉体,能够独立生产高品质稳定的粉体的公司,会在未来占有一席之地。

2、大尺寸烧结工艺

ITO靶材的另一个难点就是烧结工艺,精准的烧结工艺是烧结高品质靶材的关键。烧结工艺细分为真空热压法、热等静压法、常压烧结法。目前高端显示器用镀膜靶材主要采用常压烧结法,性价比高。

3、成本投入较大

ITO生产中需要使用非常多的大型设备,如冷压机,大型模压机,烧结炉,加工设备及绑定设备,每一项的投入都非常大。整厂的设备投入预计在5000万以上(年产50吨),且因为是能耗大户,日常的能源消耗也是非常可观的,运营维护成本也比较高。

4、产品的验证

如何能够自主的验证产品是否符合客户的使用需求,是产品能否一次通过客户验证并且顺利导入生产的关键因素,所以企业自己配套绑定检测设备及镀膜机就是保证。

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