mos管烧掉的原因有哪些 MOS管失效的5大原因及解决措施介绍

一、mos管烧掉的原因有哪些

mos管，全称为金属氧化物半导体场效应管，是一种常用于电子电路中的半导体器件。但是，在电路设计和操作过程中，常常会发生mos管烧毁的情况，导致电子设备的故障。那么，mos管烧毁的原因是什么呢？本文将从多个方面分步骤阐述。

1、加热过程中因氧化层受损

mos管的核心是由金属控制电流流动的金属栅极和半导体材料组成的氧化层。氧化层中的氧化物具有良好的隔离性，以防止电流流入。但是，如果氧化层在制造过程中受到损坏，或在使用过程中由于局部加热导致损坏，将使mos管的隔离性大大降低，从而导致电路短路，随之而来的是mos管的烧毁。

2、通电时因超过承受电压

mos管在使用过程中，必须保持适当的电压和电流范围。如果电路设计或使用中对电压过高或电流过大，将导致mos管内部的元器件无法承受，致使内部失效和烧毁。

3、外部应力因素作用

在电子电路中，mos管的工作温度受到外界环境因素的影响。如地震、高温、潮湿等极端环境下，mos管可能会受到损坏，从而导致失效和烧毁。此外，日常使用中人为因素，如不当连接、弯曲、撞击等亦可能导致mos管损坏。

4、由于使用寿命过长

mos管是一种电子元器件，其使用寿命是有限的。在使用时间过长、性能下降的情况下，会出现各种各样的烧毁现象。在mos管老化过程中，电极之间渐渐失去隔离性能，同时通电时也会出现许多“噪声”，这些因素都可能导致mos管的失效。总的来说，mos管烧毁是由多种因素共同作用而形成的。想要有效避免mos管烧毁，我们应该在选择和使用mos管时严格按照规范操作。对于一旦有了问题，及时采取维修措施以确保设备正常运转。

二、MOS管失效的5大原因及解决措施介绍

1、雪崩失效（电压失效）

雪崩失效也就是我们常说的漏源间的BVdss电压超过MOSFET的额定电压，并且超过达到了一定的能力从而导致MOSFET失效。

雪崩失效的预防措施：雪崩失效归根结底是电压失效，因此预防我们着重从电压来考虑。

2、栅极电压失效

造成栅极电压异常高的主要原因有三：生产、运输、装配过程中的静电；电力系统运行中设备和电路寄生参数引起的高压谐振；在高压冲击过程中，高压通过Ggd传输到电网（在雷击试验中，这种原因引起的故障更常见）。

栅极电压失效的预防措施：栅极和源极之间的过电压保护：如果栅极和源极之间的阻抗过高，漏极和源极之间电压的突然变化将通过电极间电容耦合到栅极上，导致非常高的UGS电压超调，从而导致栅极超调。氧化物层永久性损坏。如果是正方向上的UGS瞬态电压，设备也可能导通错误。为此，应适当降低栅极驱动电路的阻抗，并在栅极和源极之间并联一个阻尼电阻或一个稳压约20V的调压器。必须特别注意防止开门操作。

3、SOA失效（电流失效）

SOA失效是指电源在运行时异常的大电流和电压同时叠加在MOSFET上面，造成瞬时局部发热而导致的破坏模式。或者是芯片与散热器及封装不能及时达到热平衡导致热积累，持续的发热使温度超过氧化层限制而导致的热击穿模式。

SOA失效的预防措施：（1）确保在最差条件下，MOSFET的所有功率限制条件均在SOA限制线以内。（2）将OCP功能一定要做精确细致。

4、静电失效

静电的基本物理特性是：有吸引力或斥力；有电场，与地球有电位差；产生放电电流。

静电失效预防措施：MOS电路输入端的保护二极管在通电时的电流容限为1毫安。当可能出现过大的瞬时输入电流（大于10mA）时，输入保护电阻应串联，同时，由于保护电路吸收的瞬时能量有限，过大的瞬时信号和过高的静电电压会使保护电路失效。因此，在焊接过程中，烙铁必须可靠接地，以防止设备输入端子泄漏。一般使用时，断电后，可利用烙铁的余热进行焊接，其接地脚应先焊好。

5、体二极管故障

在桥式、LLC等有用到体二极管进行续流的拓扑结构中，由于体二极管遭受破坏而导致的失效。在不同的拓扑和电路中，MOS管具有不同的作用。例如，在LLC中，体二极管的速度也是影响MOS管可靠性的一个重要因素。由于二极管本身是寄生参数，因此很难区分漏源体二极管故障和漏源电压故障。二极管故障的解决方案主要是通过结合自身电路来分析。