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场效应管和mos管区别在哪里 场效应管的三个工作区域介绍

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摘要:场效管(fet)是一种半导体装置,它利用电场效应控制输入回路电流,并以此命名。mos管是金属(metal)-氧化物(oxide)-半导体(semiconductor)场效应晶体管,或称金属绝缘体(insulator)半导体。接下来本文将带来场效应管和mos管区别在哪里以及场效应管的三个工作区域介绍,一起到文中来看看吧!

一、场效应管和mos管区别在哪里

场效应管之所以称为场效应管,是因为它的工作方式是在栅极与源极之间增加电场来控制漏极与源极之间的电流,最大的特点就是栅极是基本没有电流流过的。那么场效应管和mos管区别在哪里呢?

1、主题不同

(1)场效应管:v型槽mos场效应管。它是继mosfet之后新兴的高效功率开关器件。

(2)mos管:金属-氧化物-半导体场效应管属绝缘栅型。

2、特性不同

(1)场效应管:mos场效应管不仅继承了输入阻抗高(≥108W)、驱动电流(约为0.1μA),而且还具有耐压高(最高可耐压)、工作电流(1.5A~100A)、输出功率高(约为108W)、驱动电流(约0.1μA)等优良特性。

(2)mos管:其主要特征是金属栅极和沟道之间有一层二氧化硅绝缘层,因此有很高的输入电阻(最高可达1015Ω)。

3、规则不同

(1)场效应管:功率晶体管的优点集于一身,因此在电压放大器(电压放大倍数达到数千倍)、功率放大器、开关电源和逆变器等方面得到了广泛的应用。

(2)mos管:当vgs=0时是处于截止状态,再加上正确的vgs,大部分载体会被吸引到栅极上,从而“加强”这一区域的载体,形成导电沟道。

二、场效应管的三个工作区域介绍

前文已经简单了解了场效应管和mos管区别在哪里,接着咱们就重点来了解效应管,来看看场效应管的三个工作区域是什么。

场效应管有三个极:源极(s),栅极(g),漏极(d),对应于晶体管的发射极,基极,以及集电极。场效应管的三个区域:截止区,恒流区,可变电阻区,分别对应于三极管的截止区,放大区以及饱和区。

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