MOS管
一、场效应管有几种类型
场效应管分为结型场效应管（JFET）和绝缘栅场效应管（MOS管）两大类。
按沟道材料型和绝缘栅型各分N沟道和P沟道两种；按导电方式：耗尽型与增强型，结型场效应管均为耗尽型，绝缘栅型场效应管既有耗尽型的，也有增强型的。
场效应晶体管可分为结场效应晶体管和MOS场效应晶体管，而MOS场效应晶体管又分为N沟耗尽型和增强型；P沟耗尽型和增强型四大类。
二、怎么选择场效应管
1、选择须合适的勾道（N沟道还是P沟道）
挑选好场效应晶体管电子元件的第一步是取决选用N沟道或是P沟道场效应晶体管。在典型的功率使用中，当1个场效应晶体管接地，而负载接入到干线电压上时，该场效应晶体管就组成了低压侧开关。在低压侧开关中，应选用N沟道场效应晶体管，它是出自于对关闭或导通电子元件所要电压的考虑。
2、确定场效应管的额定电流，选好额定电流以后，还需计算导通损耗
在实际情况下，场效应晶体管并不一定是理想的电子元件，归因于在导电过程中会有电能消耗，这叫做导通损耗。场效应晶体管在“导通”时好比一个可变电阻，由电子元件的RDS（ON）所确认，并随温度而明显变动。
电子元件的功率损耗可由Iload2×RDS（ON）估算，因为导通电阻随温度变动，因而功率损耗也会随着按占比变动。对场效应晶体管施加的电压VGS越高，RDS（ON）就会越小；反之RDS（ON）就会越高。注意RDS（ON）电阻会随着电流轻微升高。关于RDS（ON）电阻的各类电气叁数变动可在生产商出示的技术资料表里得知。
3、确定热要求，设计人员在设计时必须考虑到最坏和真实两种情况
一般建议采用针对最坏的结果计算，因为这个结果提供更大的安全余量，能够确保系统不会失效。
