一、igbt和mos管的区别有哪些
1、什么是igbt
IGBT，绝缘栅双极型晶体管，是由晶体三极管和MOS管组成的复合型半导体器件。
2、mos管是什么
MOS管即MOSFET，又叫绝缘栅场效应管，是场效应管的一种类型。MOSFET又可分为N沟耗尽型、增强型、P沟耗尽型和增强型四大类。
3、igbt和mos管的区别
（1）在结构上，MOSFET和IGBT看起来非常相似，实则不同。IGBT由发射极、集电极和栅极端子组成，而MOSFET由源极、漏极和栅极端子组成。IGBT的结构中有PN结，MOSFET没有任何PN结。
（2）在低电流区，MOSFET的导通电压低于IGBT；在大电流区IGBT的正向电压特性优于MOSFET。
（3）IGBT的高温特性更好，导通电压比MOSFET低。
（4）IGBT适用于中到极高电流的传导和控制，而MOSFET适用于低到中等电流的传导和控制。
（5）IGBT不适合高频应用，它能在千Hz频率下运行良好。MOSFET特别适合非常高频的应用，它可以在兆Hz频率下运行良好。
（6）IGBT的开关速度比较低，MOSFET开关速度非常高。
（7）IGBT可以承受非常高的电压以及大功率，MOSFET仅适用于低至中压应用。
（8）IGBT具有较大的关断时间，MOSFET的关断时间较小。
（9）IGBT可以处理任何瞬态电压和电流，但当发生瞬态电压时，MOSFET的运行会受到干扰。
（10）MOSFET器件成本低，价格便宜，而IGBT至今仍属于较高成本器件。IGBT适合高功率交流应用，MOSFET适合低功率直流应用。
二、igbt和mos管哪个好
igbt和mos管相比，各有各的优势和缺点，并不好说哪种更好，主要是根据实际应用场合来选择：
1、IGBT的主要优势是能够处理和传导中至超高电压和大电流，拥有非常高的栅极绝缘特性，且在电流传导过程中产生非常低的正向压降，哪怕浪涌电压出现时，IGBT的运行也不会受到干扰。与MOSFET相比，IGBT开关速度较慢，关断时间较长，不适合高频应用，比较适合高压大电流应用。
2、MOSFET的优点决定了它非常适合高频且开关速度要求高的应用。在开关电源（SMPS）中，MOSFET的寄生参数至关重要，它决定了转换时间、导通电阻、振铃（开关时超调）和背栅击穿等性能，这些都与SMPS的效率密切相关。对于门驱动器或者逆变器应用，通常需要选择低输入电容（利于快速切换）以及较高驱动能力的MOSFET。
三、igbt和mos管能互换吗
不能。
IGBT和MOSFET工作特性不一样，一般不能互换，在考虑具体技术细节的情况下，可以用IGBT替代MOSFET，需要考虑的问题点有：
1、电路的工作频率
IGBT工作频率低，一般25Khz是上限。如果电路工作频率超过IGBT频率上限（以具体管子数据手册为准），不能替换。
2、驱动电路的关断方式
MOSFET可以用零压关断，也可以用负压关断。IGBT只能用负压关断。如果电路驱动电路，只是零压关断，一般不能替代。
3、功率管并联
MOSFET是正温度特性，可以直接并联扩流，而IGBT是负温度特性，不能直接并联。如果电路是多个MOSFET并联使用，不能用IGBT简单替换。
4、电路是否需要开关器件续流二极管
MOSFET自带寄生二极管，IGBT则是另外加进去的。保险起见，只选择带续流二极管的IGBT。
5、IGBT输入电容
IGBT输入电容要和原电路MOSFET的输入电容接近。这只是考虑驱动电路的驱动能力，与MOSFET和IGBT特性无关。
6、过流保护电路
对过流保护电路，IGBT要求更高。如果没有电路图的话，可以通过短路试验来确定能否替换。
对于常见的简单电路，考虑上述几个因素，就可以用符合功率耐压要求IGBT替代MOSFET。
