MOS管
| 品牌 | 注册资本/企业规模 | 企业名称 |
| ST意法半导体 | 245534.76万元 | 意法半导体(中国)投资有限公司 |
| 士兰微电子Silan | 166407.18万元 | 杭州士兰微电子股份有限公司 |
| Nexperia安世半导体 | 124493.77万元 | 闻泰科技股份有限公司 |
| OMNIVISION | 121442.70万元 | 上海韦尔半导体股份有限公司 |
| 华微电子 | 96029.53万元 | 吉林华微电子股份有限公司 |
| 捷捷微电 | 73635.20万元 | 江苏捷捷微电子股份有限公司 |
| 立昂Lion | 67684.84万元 | 杭州立昂微电子股份有限公司 |
| 华润微电子 | 57000.00万元 | 无锡华润微电子有限公司 |
| 扬杰YJ | 54334.78万元 | 扬州扬杰电子科技股份有限公司 |
| 长晶科技 | 42178.12万元 | 江苏长晶科技股份有限公司 |
| 平伟光电 | 30552.00万元 | 重庆平伟实业股份有限公司 |
| 新洁能 | 29819.18万元 | 无锡新洁能股份有限公司 |
| VISHAY威世 | 26163.54万元 | 威世(中国)投资有限公司 |
| RENESAS瑞萨 | 25854.94万元 | 瑞萨电子(中国)有限公司 |
| SiSEMi | 25717.24万元 | 深圳深爱半导体股份有限公司 |
| 富士电机 | 25224.34万元 | 富士电机(中国)有限公司 |
| 富满微FM | 21772.45万元 | 富满微电子集团股份有限公司 |
| 宏微MACMIC | 21288.37万元 | 江苏宏微科技股份有限公司 |
| Toshiba东芝 | 20125.80万元 | 东芝(中国)有限公司 |
| infineon英飞凌 | 20125.80万元 | 英飞凌科技(中国)有限公司 |
| 蓝箭电子 | 20000.00万元 | 佛山市蓝箭电子股份有限公司 |
| starpower | 17095.53万元 | 斯达半导体股份有限公司 |
| 富芯微 | 15000.00万元 | 富芯微电子有限公司 |
| LONTEN | 12926.11万元 | 龙腾半导体股份有限公司 |
| G牌 | 12890.29万元 | 常州银河世纪微电子股份有限公司 |
| 金誉半导体 | 9438.86万元 | 深圳市金誉半导体股份有限公司 |
| 东微半导体 | 9432.69万元 | 苏州东微半导体股份有限公司 |
| Convert | 7368.42万元 | 苏州锴威特半导体股份有限公司 |
| 芯派科技 | 6230.77万元 | 芯派科技股份有限公司 |
| Cmos | 6000.00万元 | 广东场效应半导体有限公司 |
| 基本半导体 | 5366.35万元 | 深圳基本半导体股份有限公司 |
| 康比电子HB | 5165.62万元 | 南通康比电子有限公司 |
| 尚阳通 | 5107.33万元 | 深圳尚阳通科技股份有限公司 |
| 著赫ZHUHE | 5000.00万元 | 厦门著赫电子科技有限公司 |
| 南芯微电子 | 5000.00万元 | 深圳市南芯微电子有限公司 |
| 宝芯新能源 | 5000.00万元 | 深圳宝芯新能源技术有限公司 |
| 晶哲科技 | 5000.00万元 | 无锡晶哲科技有限公司 |
| 锐骏半导体 | 4742.40万元 | 深圳市锐骏半导体股份有限公司 |
| 亚成微电子 | 3858.47万元 | 陕西亚成微电子股份有限公司 |
| RUILON | 3000.00万元 | 深圳市瑞隆源电子有限公司 |
| 森国科 | 2365.00万元 | 深圳市森国科科技股份有限公司 |
| LRC | 2293.22万元 | 乐山无线电股份有限公司 |
| TI德州仪器 | 2213.84万元 | 德州仪器半导体技术(上海)有限公司 |
| 伯恩半导体BORN | 1000.00万元 | 伯恩半导体(深圳)有限公司 |
| KY | 1000.00万元 | 深圳市韩景元电子有限公司 |
| KIA | 1000.00万元 | 广东可易亚半导体科技有限公司 |
| OSEN欧芯 | 1000.00万元 | 广州欧颂电子科技有限公司 |
| VBsemi | 1000.00万元 | 深圳市微碧半导体有限公司 |
| 鲁晶 | 1000.00万元 | 济南鲁晶半导体有限公司 |
| 科发鑫 | 600.00万元 | 深圳市科发鑫电子有限公司 |
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1、栅极G：mosfet管的栅极G是控制端，名字为gate，在G端加入高低电平即可控制mosfet管的开断。对于NMOS而言，要求Vgs>0时，MOS管导通，否则mosfet关断；对于PMOS而言，要求Vgs<0时，mosfet管导通，否则mosfet关断。
2、源极S：源极，名字为Source，简称S。对NMOS而言，源极S是流出端，对PMOS而言，源极S是流入端。
3、漏极D：漏极，名字为Drain，简称D。对NMOS而言，漏极D是流入端，对PMOS而言，源极S是流出端。
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