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光刻胶怎么保存 光刻胶使用和储存注意事项

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摘要:光刻胶在半导体领域应用广泛,是半导体产业生产最关键的材料之一。光刻胶是光刻过程最重要的耗材,光刻胶的质量对光刻工艺有着重要影响,所以在保存光刻胶时要特别注意避光、防潮、低温。下面来了解下光刻胶使用和储存注意事项。

一、光刻胶怎么保存

1、温度:光刻胶应存放在低温环境下,一般建议存放在-20℃以下的冰箱中,避免光刻胶受热变质。同时,光刻胶在存放和使用过程中应避免受到温度变化的影响,以免影响其性能和质量。

2、光照:光刻胶应避免直接暴露在强光下,以免光刻胶受到光照而失去灵敏度。因此,在存放和使用光刻胶时,应尽量避免光照,可以使用黑色遮光袋或黑色遮光箱进行保护。

3、湿度:光刻胶应存放在干燥的环境中,避免受潮。因为潮湿的环境会影响光刻胶的性能和质量,甚至会导致光刻胶失效。因此,在存放和使用光刻胶时,应尽量避免受潮,可以使用密封袋或密封容器进行保护。

4、震动:光刻胶应避免受到剧烈的震动和振动,以免影响其性能和质量。因此,在存放和使用光刻胶时,应尽量避免受到震动和振动,可以使用泡沫箱或其他缓冲材料进行保护。

二、光刻胶使用和储存注意事项

1、保存

光刻胶中的光敏组分是非常脆弱的,除了有温度的要求外,对于储存时间和外包装材料有很严格的要求。一般使用棕色的玻璃瓶包装,再套上黑色塑料袋。

光刻胶的保存期限一般为6个月至1年左右,具体时间取决于光刻胶的种类和保存条件。因此,在存放和使用光刻胶时,应注意光刻胶的保存期限,避免使用过期光刻胶。

2、光刻胶的涂布温度

光刻胶涂布温度一般要和室温相同,原因是与室温相同可以大减少光刻胶的温度波动,从而减少工艺波动。而净化间室温一般是23度,所以光刻胶涂布温度一般为23度。一般在旋涂的情况下,高于会中间厚,低于会中间薄。同时涂布前,wafer也需要冷板,保证每次涂布wafer的温度一致。

3、涂布时湿度的控制

现在光刻胶涂覆工段一般都与自动纯水清洗线连在一起,很多时候都只考虑此段的洁净度,而疏忽了该段的湿度控制,使得光刻胶涂覆的良品率比较低,在显影时光刻胶脱落严重,起不到保护阻蚀的效果。

4、涂胶后产品的放置时间的控制

在生产设备出现故障等特殊情况下,涂完光刻胶的产品需要保留,保留的时间一般不超过8小时,曝光前如已被感(即胶膜已失效),不能作为正品,需返工处理。

5、前烘温度和时间的控制

前烘的目的是促使胶膜内溶剂充分挥发,使胶膜干燥以增强胶膜与基板表面的粘附性和胶膜的耐磨性。曝光时,掩模版与光刻胶即使接触也不会损伤光刻胶膜和沾污掩模膜,同时只有光刻胶干净、在曝光时,光刻胶才能充分地和光发生反应。同时注意前烘的温度不能过高,过高会造成光刻胶膜的碳化,从而影响光刻效果。一般情况下,前烘的温度取值比后烘坚膜温度稍低一些,时间稍短一些。

6、显影条件的控制

显影时必须控制好显影液的温度、浓度及显影的时间。在一定浓度下的显影液中,温度和时间直接影响的速度,若显影时间不足或温度低,则感光部位的光刻胶不能够完全溶解,留有一层光刻胶,在刻蚀时,这层胶会对膜面进行保护作用,使应该刻蚀的膜留下来。若显影时间过长或温度过高,显影时未被曝光部位的光刻胶也会被从边缘里钻溶。使图案的边缘变差,再严重会使光刻胶大量脱落,形成脱胶。

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