一、IGBT内部结构是怎样的
IGBT是绝缘栅双极晶体管的英文简称，是一种三端半导体开关的器件，可用于多种电子设备中的高效快速开关的场景中，一般igbt有三个端子：集电极、发射极和栅极，它们都是附有金属层，但是栅极端子上的金属材料具有二氧化硅层。IGBT结构其实就相当于是一个四层半导体的器件。四层器件是通过组合PNP和NPN晶体管来实现的，它们构成了P-N-P-N排列。
IGBT模块是由IGBT芯片和反并联二极管、驱动电路等组成的，它的结构相比IGBT芯片要复杂很多，一般由以下几部分组成：
1、散热基板：IGBT模块最下面的就是散热基板，主要目的是把IGBT开关过程产生的热量快速传递出去。
2、DBC基板：全称为直接覆铜基板，一共包含3层，中间为陶瓷绝缘层，上下为覆铜层，简单来讲就是在一个绝缘材料的两面覆上一层铜皮，然后在正面刻蚀出能够走电流的图形，背面要直接焊接在散热基板上，因此就不需要刻蚀了。
3、IGBT芯片：IGBT芯片是IGBT模块的核心。
4、Diode芯片：二极管的电流方向是从上至下的，正好与IGBT的电流方向相反。
5、键合线：IGBT芯片、Diode芯片以及DBC的上铜层互连一般采用键合线实现，常用的键合线有铝线和铜线两种。
二、igbt工作原理是什么
IGBT是一种功率晶体管，主要用于变频器逆变和其他逆变电路，将直流电压逆变成频率可调的交流电，其工作原理是通过不断激活和停用其栅极端子来开启、关闭：
IGBT的开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道，给PNP晶体管提供基极电流，使IGBT导通。反之，加反向门极电压消除沟道，切断基极电，使IGBT关断。若在IGBT的栅极和发射极之间加上驱动正电压，则MOSFET导通，这样PNP晶体管的集电极与基极之间成低阻状态而使得晶体管导通;若IGBT的栅极和发射极之间电压为0V，则MOSFET截止，切断PNP晶体管基极电流的供给，使得晶体管截止。
