igbt的保护分哪三个保护 IGBT的保护模式有哪些

一、igbt的保护分哪三个保护

IGBT是一种用MOS来控制晶体管的新型电力电子器件，具有电压高、电流大、频率高、导通电阻小等特点，被广泛应用在变频器的逆变电路中。但由于IGBT的耐过流能力与耐过压能力较差，一旦出现意外就会使它损坏。为此，必须对IGBT进行相关保护。IGBT的保护主要分为三个部分：

1、过流保护

IGBT承受过电流的时间仅为几微秒，耐过流量小，因此使用IGBT首要注意的是过流保护。IGBT的过流保护可分为两种情况：驱动电路中无保护功能；驱动电路中设有保护功能。对于第一种情况，我们可以在主电路中要设置过流检测器件；针对第二种情况，由于不同型号的混合驱动模块，其输出能力、开关速度与du/dt的承受能力不同，使用时要根据实际情况恰当选用。对于大功率电压型逆变器新型组合式IGBT过流保护则可以通过封锁驱动信号或者减小栅压来进行保护。

2、过压保护

IGBT的过压保护主要从以下几个方面进行：

（1）尽可能减少电路中的杂散电感。

（2）采用吸收回路。吸收回路的作用是;当IGBT关断时，吸收电感中释放的能量，以降低关断过电压。

（3）适当增大栅极电阻Rg。

3、过热保护

IGBT的过热保护一般是采用散热器（包括普通散热器与热管散热器），并可进行强迫风冷。

二、IGBT的保护模式有哪些

不注意IGBT的保护，就无法抵抗来自外界的干扰和自身系统引起的各种失效问题，因此需要做好保护工作，IGBT的保护模式主要有两种：

1、传统保护模式

防止栅极电荷积累及栅源电压出现尖峰损坏IGBT——可在G极和E极之间设置一些保护元件，如电阻RGE可以使栅极积累电荷泄放，两个反向串联的稳压二极管可以防止栅源电压尖峰损坏IGBT。另外，还有实现控制电路部分与被驱动的IGBT之间的隔离设计，以及设计适合栅极的驱动脉冲电路等。

2、新型保护模式

将传统的稳压管改为新型的瞬态抑制二极管（TVS），TVS反应速度极快（达PS级），通流能力远超稳压二极管（可达上千安培），同时，TVS对静电具有非常好的抑制效果。该产品可以通过IEC61000-4-2接触放电8kV和空气放电15kV的放电测试。

将传统电阻RG变更为正温度系数（PPTC）保险丝。它既具有电阻的效果，又对温度比较敏感。当内部电流增加时，其阻抗也在增加，从而对过流具有非常好的抑制效果。