一、igbt的优点和缺点有哪些
IGBT 就是绝缘栅双极晶体管，它主要用于多种电子设备中的高效快速开关的场景中，兼有BJT和MOS管的好处，它的优点和缺点都是很明显的：
1、igbt的优点
（1）具有较高的电压和电流处理能力、极高的输入阻抗。
（2）可以使用非常低的电压切换非常高的电流。
（3）具有电压控制装置，没有输入电流和低输入损耗。
（4）栅极驱动电路简单且便宜，降低了栅极驱动的要求。
（5）通过施加正电压可以很容易地打开它，通过施加零电压或稍微负电压可以很容易地关闭它。
（6）具有非常低的导通电阻。
（7）具有高电流密度，使其能够具有更小的芯片尺寸。
（8）具有比BJT和MOS管更高的功率增益。
（9）具有比BJT更高的开关速度。
（10）可以使用低控制电压切换高电流电平。
（11）具有双极性质，增强了传导性。
（12）安全可靠。
2、igbt的缺点
（1）开关速度低于MOS管。
（2）因为是单向的，在没有附加电路的情况下无法处理AC波形。
（3）不能阻挡更高的反向电压。
（4）比BJT和MOS管价格更高。
（5）类似于晶闸管的P-N-P-N结构，因此它存在锁存问题。
二、igbt有什么特性
1、功率特性
IGBT具有良好的功率特性，其重复性能优于MOSFET，可实现高效的恒定功率输出，有利于提高整个系统的工作效率。
2、控制特性
IGBT具有良好的控制特性，其输入电压范围较宽，可实现电压控制调节，可以有效抑制电压波动。
3、可靠性
IGBT具有良好的可靠性，具有抗电磁干扰能力强、抗温度变化性能好和耐久性高等优点，可以长期稳定运行。
4、结构特性
IGBT有着紧凑的结构，体积小，可以降低整个系统的体积，有利于系统的自动化程度的提高。
三、igbt的主要参数
1、电压限制：IGBT的电压范围一般在600V-6.5kV之间。
2、功率限制：IGBT的功率范围一般在1W-15MW之间。
3、漏电流： IGBT的漏电流比MOSFET要小得多，一般在1mA-100mA之间。
4、损耗：IGBT的损耗一般比MOSFET要低，可以达到1W-15MW之间。
5、热效应：IGBT的热效应比MOSFET要小，可以达到20°C-150°C之间。
6、反应时间：IGBT的反应时间一般比MOSFET要快，可以达到1ns-50ns之间。
