一、igbt属于什么器件
IGBT，即Insulate-Gate Bipolar Transistor，翻译过来是绝缘栅双极晶体管，是半导体领域里分立器件中特别重要的一个分支。
IGBT属于电压控制器件，是由BJT和MOSFET组成的复合功率半导体器件，它能够根据工业装置中的信号指令来调节电路中的电压、电流、频率、相位等，以实现精准调控的目的，广泛应用于电机节能、轨道交通、智能电网、航空航天、家用电器、汽车电子、新能源发电、新能源汽车等领域。
二、igbt有几种类型
IGBT是半导体器件，它的应用广泛，种类也有很多，按照不同的分类方法可分为不同类型：
1、在应用层面根据电压等级划分
（1）低压IGBT：指电压等级在1000V以内的IGBT器件，例如常见的650V应用于新能源汽车、家电、工业变频等领域。
（2）中压IGBT：指电压等级在1000-1700V区间的IGBT器件，如1200V应用于光伏、电磁炉、家电、焊机、工业变频器和新能源汽车领域，1700V应用于光伏和风电领域。
（3）高压IGBT：指电压等级3300V及以上的IGBT器件，比如3300V和6500V应用于高铁、动车、智能电网，以及工业电机等领域。
2、在产品层面根据封装方式划分
（1）IGBT单管：封装规模较小，一般指封装单颗IGBT芯片，电流通常在50A以下，适用于消费、工业家电领域。
（2）IGBT模块：IGBT最常见的形式，是将多个IGBT芯片集成封装在一起，功率更大、散热能力更强，适用于高压大功率平台，如新能源车、光伏、高铁等。
（3）功率集成（IPM）：指把IGBT模块加上散热器、电容等外围组件，组成一个功能较为完整和复杂的智能功率模块。
3、根据是否具有N 缓冲层划分
（1）穿通IGBT：又称PT-IGBT、非对称IGBT，在发射极接触处具有N 区，具有不对称的电压阻断能力，即正向和反向击穿电压不同。非对称IGBT的反向击穿电压小于其正向击穿电压，同时具有更快的切换速度。穿通IGBT是单向的，不能处理反向电压。因此，它们被用于逆变器和斩波器电路等直流电路中。
（2）非穿通IGBT：又称NPT-IGBT、对称IGBT，它没有由发射极接触额外的N 区域，结构的对称性提供了对称的击穿电压特性，即正向和反向击穿电压相等。由于这个原因，它们被用于交流电路。
